該儀器采用了主動(dòng)擾動(dòng)抑制技術(shù)、快速應(yīng)力形變分析算法、共光路橫向錯(cuò)位干涉、二維偏振相移等技術(shù),大口徑、大面形、抗高溫空氣擾動(dòng)等關(guān)鍵技術(shù)??蓪?duì)6英寸樣品應(yīng)力和形變進(jìn)行全場(chǎng)、快速、直接測(cè)試。適用于微電子、光電子器件科研生產(chǎn)中電子基片和薄膜的面形分布、應(yīng)力分布和應(yīng)力釋放過程的測(cè)試,為提高電子元器件質(zhì)量和可靠性提供數(shù)據(jù)支持。
可測(cè)Si、CaAs、InGaAs和Ge等具有反光性能的薄膜或拋光片
基片和薄膜面形測(cè)試
薄膜應(yīng)力分布測(cè)試;
應(yīng)力和形變釋放過程測(cè)試
變溫基片形變和薄膜應(yīng)力測(cè)試;
具有測(cè)試過程數(shù)據(jù)記錄功能,輸出結(jié)果類型:三維立體顯示、二維偽彩色顯示、數(shù)據(jù)表格、溫度與應(yīng)力曲線
技術(shù)參數(shù):
測(cè)試樣片尺寸:2~6英寸
激光波長(zhǎng):650nm±30nm
激光功率:≥15mW
樣品溫控范圍:室溫~200℃
溫度均勻性:±2%±2℃
溫度控制精度:±2%±1℃
溫度顯示分辨率:0.1℃
曲率半徑測(cè)試范圍:∣R∣≥8m
曲率半徑測(cè)試精度:5%
應(yīng)力測(cè)量范圍:50MPa~1GPa
應(yīng)力重復(fù)測(cè)量精度:±10%±10MPa
應(yīng)力測(cè)量顯示分辨率:10MPa
測(cè)試時(shí)間:≤3min/片
電源:AC 220(1±10%)V,50(1±5%)Hz
功耗:≤350W
結(jié)構(gòu)特征:臺(tái)式
外形尺寸(W×H×D):≤520mm×630mm×850mm
重量:約80kg
6341電子薄膜應(yīng)力分布測(cè)試儀
該儀器是為解決微電子、光電子科研與生產(chǎn)中基片平整度及薄膜應(yīng)力分布的測(cè)試而設(shè)計(jì)的。它通過測(cè)量每道工序前后基片面形的變化(變形)來測(cè)量曲率半徑的變化及應(yīng)力分布,從而計(jì)算薄膜應(yīng)力。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝研究及質(zhì)量控制,為改善半導(dǎo)體器件可靠性提供測(cè)試數(shù)據(jù)。
本儀器適用于測(cè)量Si、Ge、CaAs等半導(dǎo)體材料的基片平整度,以及氧化硅、氮化硅、鋁等具有一定反光性能的薄膜的應(yīng)力分布。
技術(shù)參數(shù):
測(cè)試硅片尺寸:2~4英寸
硅片曲率范圍:|R|> 5米
測(cè)試精度:5%(在R=±8米處考核)
單片測(cè)試時(shí)間:3分鐘/片
輸出結(jié)果類型:面形、曲率分布、梯度分布和應(yīng)力分布
圖形顯示功能:三維立體顯示、二維偽彩色顯示、統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表格
電 源:AC 220(1±10%)V,50(1±5%)Hz
*大功耗:100W
外形尺寸:285mm×680mm×450mm
重 量:≤36kg